30a-E-7 塩素原子とGaAsの相互作用:エッチング機構の理論的考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
関連論文
- 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
- 27a-ZF-3 GaAs(110)表面Cs吸着相の原子構造と電子構造
- 31a-Z-9 GaAsにおけるDXセンターの最適原子配置
- 14a-DJ-11 As/Si(001)面上の吸着Si原子のエナージェティクス
- 27a-Y-10 GaAs(001)As表面の構造安定性
- 30a-E-7 塩素原子とGaAsの相互作用:エッチング機構の理論的考察
- 3p-C-1 エナージェティクス-歪超格子,不純物
- 3p-C-1 エナージェティクス : 歪超格子,不純物
- 3a-C-15 (GaAs)_1/(Ge_2)_1単原子層超格子の電子構造
- 6p-A2-8 (InAs)_1(GaAs)_1単原子層超格子の構造安定性
- 3p-E-4 単原子層の反電場効果