30p-E-6 Gap, GaSbの精密構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-09-14
著者
関連論文
- 2a-YD-3 「mK制御セル」で見るCsPbCl_3の逐次相転移(2) : X線回折
- 2a-YD-2 「mK制御セル」で見るCsPbCl_3の逐次相転移(1) : 熱分析
- 30a-YG-2 陰イオン導電体CsPbCl_3の赤外スペクトルと有効電荷
- PbSeのTOF中性子回折
- 30p-D-3 CsPbX_3(X=Br,Cl)における^Cs核磁気緩和の温度依存性
- 4a-M-1 CsPbCl_3における^Cs核磁気緩和の温度依存性
- 30a-P-11 陰イオン導電体CsPbCl_3の赤外スペクトルの温度変化
- 2p-KE-3 β-V_2Dの結晶構造解析
- 12p-B-7 β_1-V_2Hの精密構造解析
- 30a-D-5 NiS_2の電子密度分布
- 30a-D-4 CoC_2の電子密度分布
- 30p-E-6 Gap, GaSbの精密構造解析
- 30a-S-11 化合物反動体PbSe, PbTe内の電子密度分布
- 1a-U-4 化合物半導体PbSe結晶内の電子密度分布
- 8a-D-4 Co-Se系化合物の結晶構造
- 7p-E-10 CoSeの結晶構造
- CoSeの結晶構造とその電気的、磁気的性貭 : 磁性 : 化合物
- CoSeの電気的,磁気的性質 : 磁性(化合物)
- Mg2Si1-xGex固溶半導体の作成とその熱電特性
- 27a-D-9 擬一次元白金錯体の結晶構造
- 1a-UB-9 BaMnF_4の低温相の構造
- 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
- 3a-Q-8 金属バナジウム中の電子密度分布(実験)
- 5a-A-8 準一次元導体(MSe_4)_xI(M=Ta and Nb)の電気抵抗とX線回折II
- 3p-PS-6 RCu_6(R=La,Ce)の結晶構造
- 5a-C-3 マグネタイト低温相の構造 I
- mK温度制御による熱異常検知機能付きX線回折用セルの開発
- タイトル無し
- タイトル無し
- 1p-D3-1 マグネタイト低温相の構造 II(1p D3 磁性(酸化物))
- 29a-BE-5 Cs_2HgI_4の結晶構造(29a BE 誘電体)