非晶質半導体の光導電過渡特性 : 分散型伝導
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概要
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ドリフト移動度から, 高抵抗半導体のギャップ中準位の構造に関する情報が得られることは古くから知られていたが, 解釈のつかない測定データしか得られない物質が少なくないこと, また, 他の実験手段が進歩してきたことなどのため, この分野に携わる研究者が少なく進歩が遅れていた. しかし, 最近, 光導電過渡応答の理論は急速に整備され面目を一新しつつある. とくに, 非品質半導体が基礎, 応用両面から再び脚光をあびるようになった今日, この方法は, これらの材料の電子状態を明らかにする上での強力な武器となるだろう.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-07-05