Ge, SiのD^-状態とD^-バンド

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概要

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• 半導体中の不純物準位はしばしば水素原子模型で近似される. 負にイオン化した水素原子, H^-, との類似より, 半導体の不純物ドナーにもう一つの電子がつかまるD^-状態が果して存在するか, どうかは長い間の疑問であった. 最近のサブミリ波分光の発達により, D^-状態の存在はすでに疑う余地のないものとなった. H^-と違って, D^-中心の電子は母体エネルギー帯の異方性, 多谷性, また大きな電子軌道半径を反映して, 一層興味深い振舞を示す.著者の研究室では3Hcによる0.35Kの低温での長波長分光と,一軸性応力,磁場等の手段により, D^-状態の存在を一層現実化すると共に, 新しい現象を多く見出すことが出来たので紹介する. D^-状態が集ったと考えられるD^-バンド, またさらに不純物濃度の増加による非金属-金属転移は不純物伝導の中心課題で多くの研究がなされてきたが, ここでは著者らの光の手段による研究を述べる.

• 社団法人日本物理学会の論文
• 1979-03-05

著者

• 成田 信一郎

  大阪大学基礎工学部物性教室

• 成田 信一郎

  大阪大基礎工

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