21aYC-7 スクラッチングによりステップ構造制御した H-Si(111) 表面への金属析出
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
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中戸 義禮
大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻
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中戸 義禮
阪大院基礎工
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長井 智幸
阪大院基礎工
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今西 哲士
阪大院基礎工
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今西 哲士
大阪大学大学院基礎工学研究科
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長井 智幸
大阪大学大学院基礎工学研究科・物質創成専攻
-
今西 哲士
Division Of Chemistry Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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