5p-T-1 V族吸着Si(111)√<3>×√<3>表面の電子構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
関連論文
- 4a-PS-32 Si(111)7×7表面DAS模型の電子構造
- 5a-T-1 Si(111)再構成表面の電子状態-5×5構造
- 26a-P-3 Si(111)再構成表面の電子構造
- 2a-NM-5 シリコン(111)面上空格子点の電子状態 II
- 29a-PS-4 Si(111)表面におけるIII, IV, V族原子の吸着構造
- 28p-D-4 Si(111) 表面における吸着原子の価電子数と電子構造
- 4a-E-8 シリコン表面金属超格子の電子状態II
- 12a-Y-1 シリコン表面金属格子の電子状態I
- 2a-D-2 Si(111)√×√ : Al系の電子状態
- 30p-A-9 シリコン(111)面上空格子点の電子状態III
- 31a-J-7 シリコン(111)面上空格子点の電子状態の計算
- 30a-U-2 擬ポテンシャル法による表面電子状態の計算
- 31p-CA-7 遷移金属を吸着させたシリコン表面の電子状態
- 28p-PSB-7 V族原子紙吸着Si表面における下地緩和効果
- 14a-DJ-10 Si(111)表面におけるV族原子の吸着構造
- 27p-PSA-6 Si(111)表面上Sb原子の吸着構造と電子構造
- 24a-PS-35 Si(111)√×√:Sb表面の電子構造
- 5p-T-1 V族吸着Si(111)√×√表面の電子構造
- シリコン表面における金属の吸着
- 5p-B4-6 Si(111)金属吸着表√3構造 : 電子構造
- 21pRF-3 大学初年次の力学教育における諸問題I(21pRF 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 29a-TJ-4 V族吸着Si(111)√3×√3表面の電子構造(29aTJ 表面・界面)