3a-T-8 Si(100)表面上のK, Cs+O共吸着系における準安定原子脱励起分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
関連論文
- 24a-PS-14 イオンスパッタリングにより放出された二次イオンとフォトンの同時性測定
- 29a-P-2 イオン衝撃下におけるGaAs単結晶の表面組成と酸素吸着
- 25p-PS-51 酸化Si(001)表面上のアルカリ金属吸着による酸化促進作用
- 5a-PS-38 Si(100)表面上K→酸素直接電荷移行のK扱覆率依存性 : He^*による検出
- 1p-TA-14 MDSによるSi(100)表面上のアルカリ金属・酸素共吸着系の局所電子状態
- 3a-T-8 Si(100)表面上のK, Cs+O共吸着系における準安定原子脱励起分光
- 3a-C4-10 MDSで見たCs/Si(111)表面の電子状態
- 3p-RJ-13 Ag/Si(111)系のペニングイオン化電子分光
- 11a-A-1 励起準安定原子He^*によるSi(111)からの電子放出
- 1p-B-11 レーザーを用いた超高速蒸着法によるa-Siの製作
- 27p-U-9 レーザー誘起合成法によるシリコン微粒子の作製
- 準安定原子脱励起分光法で見た表面の電子状態
- ペニング分光
- 27p-GA-7 イオン衝撃による光とイオンの放出 : O_2/GaAs(表面・界面)
- 29p-H-2 液体金属イオン源からのクラスターイオンの生成 : スズ(表面・界面)
- 31p-M2-15 液体金属イオン源からのクラスターイオン放出 : ゲルマニウム(表面・界面)
- 27p-GA-6 Li/Si(111)表面でのヘリウム準安定原子の脱励起過程(表面・界面)
- 29p-H-1 液体金属イオン源からのクラスターイオンの生成 : リチウム(表面・界面)
- 28p-TJ-11 K/Si(001)系の準安定原子脱励起分光(28pTJ 表面・界面)
- 28a-TG-1 イオン衝撃下におけるGaAs単結晶表面への酸素・アルゴン吸着(28aTG 表面・界面)
- 29p-BG-5 He^*準安定原子の表面での脱励起過程-Ag/Si(111)系(29p BG 表面・界面)