スチルベン単結晶の生成とシンチレーション特性 : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1959-04-07
著者
関連論文
- 4p-L-13 アンスラセンの内部におけるキャリヤーの移動度の測定
- 12a-A-8 アンスラセンの比抵抗の測定
- 12a-A-7 アンスラセン光伝導に対する気体吸着の影響
- アンスラセンの光伝導に対する温度の影響 : 半導体
- 2p-L-8 アンスラセン単結晶の光伝導
- 4p-L-12 アンスラセンの吸收端およびその温度変化
- 8p-H-11 高周波炉によるNaI(Tl)単結晶シンチレーターの育成
- 9a-C-6 引上げ法によるNaI単結晶の育成(II)
- 9a-C-5 アンスラセン単結晶の電顕による観察
- 高周波炉によるNaI単結晶の育成 : イオン結晶
- 表面物理
- 高周波炉によるNaI単結晶の育成 : 結晶塑性
- スチルベン単結晶の生成とシンチレーション特性 : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
- アンスラセン単結晶の主屈折率の測定 : XXI. 光物性
- 18K-8 アンスラセン単結晶の作製とシンチレーション特性
- 18K-8 アンスラセン単結晶の作製とシンチレーション特性
- 応用物理 : 表面物理
- 半導体の表面現象-Ge,Siの表面準位
- 別の応用物理学者の意見
- R. H. Kingston編: Semiconductor Surface Physics, Univ. of Pennsylvania Press, Philadelphia, 1957, 413頁, 14×22cm, $8
- 10A8 モリブデナイトの縦電場効果
- 10A7 モリブデナイトの光学的性質
- 19G-21 モリブデナイトの表面電子状態
- 11E-6 モリブデナイトの表面状態(I)(半導体)