銅を拡散したGe Grain Boundaryの電気的特性 : 半導体

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1962-10-08

著者

• 小谷 健

  神戸工業

• 鶴見 一郎

  神戸工業

• 鶴見 一郎

  神戸工業 K.K.

• 小谷 健

  神戸工業 K.K.

関連論文

• 半導体単結晶のPhotovoltage及びPEM効果 : 応用半導体
• GaAs p-n接合 : 応用半導体
• 銅を拡散したGe Grain Boundaryの電気的特性 : 半導体
• 11a-A-9 塑性変形されたシリコン中酸素の赤外吸收
• Grain Baundaryからの雑音 : 半導体
• 5B30 微小位相差による白色光の干渉縞について
• 17D13. 結晶主軸の廻転による偏光の干渉について
• 12G-8 硝子の紀年変化(転移点における歪及び密度の緩和)(応用物理)

スポンサーリンク