ゲルマニウム単結晶中の転位の発生と増殖 : 結晶生長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-03-31
著者
関連論文
- 2)光方式によるテレビジョン受像機の遠隔操作装置(第47回テレビジョン方式・回路研究会)
- 4a-TC-7 Geの水蒸気エッチング
- Ge単結晶の溶解速度 : 結晶生長
- InAs単結晶中の析出(半導体(拡散,エピタキシー)
- 8a-B-1 CdTe中のAuの動き
- 6a-B-10 CdTeのCd転位とTe転位
- 9a-C-9 CdTeのEtch Pit
- InAs中の自己拡散および不純物拡散 : 半導体 : 結晶成長
- ゲルマニウム単結晶中の転位の発生と増殖 : 結晶生長
- STAIN FILMの酸化(I) : 半導体
- SiO_2 Filmの低温成長 : 半導体(結晶成長)
- STAIN FILMの酸化(II) : 半導体
- InAs単結晶成長時の温度ゆらぎと縞模様 : 結晶成長
- エピタキアル シリコンの成長錐 : 結晶生長
- ZnTe中のInの拡散 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- 8p-A-7 II-VI化合物の圧電極性
- II-VI化合物の結晶成長