nおよびP-type Siの放射線損傷とその焼鈍効果 : 格子欠陥
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-03-31
著者
関連論文
- 4p-LT-5 ホットエレクトロン再結合発光と分布関数
- 7a-K-9 ポリエチレンの光電流と光強度
- 高分子材料の直流電気伝導 : 高分子
- nおよびP-type Siの放射線損傷とその焼鈍効果 : 格子欠陥
- Siの放射線損傷とその焼鈍過程(格子欠陥)
- 4a-A-13 Siの放射線損傷とその焼鈍効果に及ぼす不純物の影響
- 4a-P-2 γ線照射したP型シリコンの再結合中心
- P-typeSiの放射線損傷(II) : 格子欠陥
- 31a-BD-13 Squaric acid H_2C_4O_4 の相転移への圧力効果
- 7a-P-8 液晶のBrillouin散乱
- 3V08 ヌメクチック液晶中のキャリヤ移動度の異方性
- 30a-U-9 GaP の放射線損傷
- 6p-E-8 放射線損傷をうけたGaAsのフォトルミネッセンス
- Pを含むn型Geの77°Kでの電子線照射 : 格子欠陥
- N型GeのGrain Boundaryの電気的性質 その2 : 半導体
- シリコンPINダイオード : 半導体 : ダイオード
- 30p-Q-3 導電性高分子の高電界電気伝導
- 3p-D-9 フタロシアニン薄膜の発光スペクトル
- Siの放射線損傷とその焼鈍過程に及ぼす不純物の影響(格子欠陥)
- 不純物添加SiのLife-timeに依る放射線損傷とそのアニール : 半導体
- 4a-L-10 マイクロ波によるホット・キャリアの測定
- 2a-N-5 (SN)_x の電気的性質に及ぼすドーピングの影響 (IV)
- 2a GC-13 (SN)_xの電気的性質に及ぼすドーピングの影響 (III)