10A18 Ge PNジャンクション及びトランジスタの雑音
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-04-09
著者
関連論文
- 14a-A-6 Geのgrain Boundaryの表面電場効果
- 3p-N-15 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (IV)
- 圧電半導体の音響ドメインによる光の変調
- 1)CdSの電気音響ドメインとそのオプトエレクトロニクスへの応用(第9回 固体画像変換装置研究委員会)
- 8a-M-9 CdS単結晶のX線及び光パルス電動(I)
- 14p-Q-10 液晶の強誘電性とスイッチング特性に及ぼす分子構造、温度及びセル厚の影響
- 12p-Q-6 ポリセレノフェンの電気的光学的性質
- 12p-Q-1 ポリフェニレンサルファイドの電気的光学的性質
- 13p-E-2 低次元電子輸送とホットエレクトロン
- イオン結晶の低温絶縁破壊と非弾性不純物散乱 : イオン結晶
- イオン結晶の絶縁破壊の温度特性 : XV. イオン結晶
- 16M-2 γ線重合中のMMAの絶縁破壊電圧の変化
- 10A18 Ge PNジャンクション及びトランジスタの雑音
- 19K-14 γ線照射アルカリハライドの電気伝導と絶縁破壊〔IV〕
- 8a-P-2 イオン結晶の光伝導と絶縁破壊
- 誘電体の破壊前駆現象(I) : XXVIII. 放電
- 3V16 強誘電性(混合)液晶の電気的光学的性質
- 11p-H-9 Co_2レーザによるTeのSHGの温度依存性
- 29C2 トランジスタの雜音について(29C 半導体)
- タイトル無し