7A19 フェライトにおける微量添加イオン効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1957-04-06
著者
関連論文
- 電子線照射されたRubyのE.S.R : 磁気共鳴
- 低温におけるGeのbreakdown : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- p-Ge Hall係数の低温における符号反転 : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown II : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown I : 半導体
- Siの低温絶縁破壊(I) : 半導体
- 線幅におよぼす空孔の効果 : XXIII. 磁気共鳴
- 7A19 フェライトにおける微量添加イオン効果