25p-T-4 液体In-Bi合金の帯磁率の温度依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
関連論文
- 30a-T-6 液体 Na-Hg の物性
- 1p-E-4 IVb-Te 液体半導体の構造と物性
- 2a-BE-11 液体テルル希薄遷移合金のs-d混成と電気抵抗
- 30p-S-7 スメクチック液晶の帯磁率について
- 12a-L-5 液体テルル中における希薄4d不純物の帯磁率
- 7a-V-7 液体Te-3d, 4d遷移金属の電気抵抗
- 11p-L-4 液体III(In,Tl)-V(Sb,Bi)系の帯磁率について
- 5a-T-8 液体Teにおける遷移金属不純物の局在電子状態
- 25p-T-4 液体In-Bi合金の帯磁率の温度依存性
- 10p-Q-1 sb-3d遷移金属液体合金の電気抵抗
- 2a-BE-4 二相分離系液体合金の構造 II : Bi-Ga系