3p-DQ-3 薄いシリコンのチャネリング後方散乱による照射損傷の測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1978-09-11

著者

• 梨山 勇

  電総研

• 西島 俊二

  電総研

関連論文

• 2p-E-5 チャネリング用パルス、駆動精密ゴニオメーター
• ^Cr中のanalogue stateのγ-decay : 低エネルギー原子核実験
• 2p-Q-7 ^V+p Analogue Resonanceにおける陽子弾性散乱
• 28a-QA-6 放射線照射されたβ-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の圧力効果
• 28a-QA-5 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果II
• 4a-U-11 NbのHe照射損傷分布測定
• 3p-DQ-3 薄いシリコンのチャネリング後方散乱による照射損傷の測定
• 6a-L-3 チャネリング後方散乱スペクトルの解析
• 30p-JF-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果III(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 30p-JF-4 β-(BEDT-TTF)_2I_3の種々のTcにおける超伝導の放射線照射効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 29p-EA-10 β-(BEDT-TTF)_2I_3の超伝導の放射線照射効果(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク