25p-S-4 V-band領域におけるルビーのESR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
関連論文
- 5a-F6-2 低域混成波のパラメトリック崩壊不安定性の生起とプラズマ加熱3
- 6p-D6-5 Whispering gallery modeの発振試験
- 3p-Q-9 磁性半導体Pb_Cr_xTeの電気的,磁気的測定
- 3p-Q-6 低温蒸着SnTe薄膜の電気的・光学的測定
- 11p-N-14 縮退磁性半導体Sn_Mn_xTeの低温磁化
- 28a-M-5 縮退磁性半導体Sn_Cr_xTeの磁化測定
- 28a-M-4 縮退磁性半導体Sn_Cr_xTeの比熱測定
- 1p-B-8 縮退磁性半導体の交流磁化率
- 1p-B-7 縮退磁性半導体の低温磁化
- 1p-B-6 縮退磁性半導体の電気抵抗と比熱
- 31a-K-10 縮退磁性半導体の磁性と熱処理効果
- 31a-K-9 縮退磁性半導体のESRと熱処理効果
- 1a-B-4 FMRからみたSnTe結晶の構造相転移
- 1a-B-3 縮退磁性半導体のスピン共鳴
- 1a-B-2 縮退磁性半導体の熱的測定
- 1a-B-1 縮退磁性半導体の磁気測定
- 28a-H-5 縮退磁性半導体の電気的測定
- 28a-H-4 縮退磁性半導体Sn_Mn_xTe系の磁気的転移
- 28a-H-3 縮退磁性半導体の磁気測定
- 2a-B-12 縮退磁性半導体の熱的測定II
- 2a-B-11 縮退半導体中の鉄族元素の磁性
- 縮退磁性半導体()
- 1a GF-6 PbTe-MnTe系のV-band ESR
- 1a GF-5 SnTe-MnTe系の熱電能
- 31a GD-12 SnTe-MnTe系の異常ホール効果
- 縮退磁性半導体の熱電能
- 6a-LT-11 半金属Bi-Sb薄膜の非晶質性
- 低温で動作するNMR装置の改良-5-
- 30p-D-7 50GC領域のENDOR(II)
- 3p-AB-17 微小ギャップ半導体の熱起電力
- 9p-R-3 SnTe:Mnの電流磁気効果(III)
- 1p-BJ-12 GeTe-MnTe の EPR と電気抵抗
- 6a-K-8 Pb_Sn_xTe:MnのV-bandESR
- 6a-K-7 Pb_Sn_xTe:Mnの電気的性質とX-bandESR
- 6p-G-10 第二種超伝導体Pb-In合金薄膜の磁束線運動
- 5p-B-22 PbTe:MnのV band ESR
- 5p-B-21 SnTe:Mnの磁気抵抗効果(II)
- 微小ギャップ半導体中の磁性不純物
- 5p-U-5 SnTe:Mnの磁気抵抗効果
- 4p-V-4 低温におけるルビー中のAl^核NMR
- 4a-R-9 微小ギャップ半導体SnTe:MnにおけるEPR
- 4a-R-8 微小ギャップ半導体SnTe:Mnにおける近藤効果
- SnTeおよびPbTeにおけるMn2+イオンの電子常磁性共鳴-4-
- 25p-S-4 V-band領域におけるルビーのESR
- 25a-G-8 SnTe: Mnにおける点欠陥の熱運動
- 6a-M-2 SnTe:Mnの育成とその性質 II
- 13a-H-11 SnTe:Mnの結晶育成とその性質(I)
- 10a-H-12 II-VI 半導体混晶のEPR(II)
- 4a-M-6 V-Band領域のENDORメカニズム
- 4a-M-5 6mm波領域の極低温におけるENDOR(II)
- 9p-H-2 6mm波領域の極低温におけるENDOR