5a-LT-6 マグネトフォノン効果に対する不純物の影響
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27p-QB-8 クーロン場に束縛された強結合ポーラロンのエネルギー
-
5a-K-7 量子スピン系の基底状態II
-
5a-K-6 量子スピン系の基底状態I
-
14a-E-5 量子極限磁場における不純物散乱II
-
1a-B-13 量子極限磁場における不純物散乱
-
M. I. Kilnger著, J. B. Sykes訳: Problems of Linear Electron (Polaron) Transport Theory in Semiconductors, Pergamon Press, Oxford and New York, 1979, xvi+934ページ, 25.5×17.5cm, 27,000円 (International Series in Natural Philosophy, Vol. 87).
-
4p-BL-3 有限温度のポーラロンのエネルギー
-
5a-LT-6 マグネトフォノン効果に対する不純物の影響
-
11p-G-16 強結合ポーラロンのエネルギー
-
3p-R-4 量子極限磁場における荷電不純物散乱
-
E. G. D. Cohen and W. Thirring編 : The Boltzmann Equation (Theory and Application) ; Proceedings of the International Symposium "100 Years Boltzmann Equation" in Vienna, 1972, Springer-Verlag, Berlin, 1973, 642ページ, 25×18cm.
-
23a-G-9 イオン化不純物散乱のカット・オフ
-
固体電子論(昭和39年度における各専門分野研究活動の展望)
-
A.A. Abrikosov, L.P. Gorkov and I.E. Dzyaloshinski: Methods of Quantum Field Theory in Statistical Physics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, New Jersey, 1963, 352+XV 頁, 15.5×23.5cm, 4,800円.
-
BiのEsaki効果(I)(「不安定性と非線型伝導現象」研究会)
-
5p-A-2 ビスマスの電子・空孔再結合時間
-
Bismuthの磁気抵抗と電子・格子相互作用
-
InSb, 半金属伝導電子のg-factor
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク