5p-DR-16 Si反転層での中性不純物散乱
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-09-11
著者
関連論文
- 3p-KG-14 Fe_3O_4の電子相転移と磁歪, 結晶歪, 電気抵抗
- 31p-K-13 グラファイト・アルカリ層間化合物の超伝導機構
- 28a-E-8 微小ギャプ半導体表面のn型反転層のサブバンド構造と光吸収スペクトル
- 31a KH-1 n型半導体SrTiO_3の超伝導機構
- 5p-DR-16 Si反転層での中性不純物散乱
- 1p-CA-4 半導体界面の超伝導
- 1p-CA-4 半導体界面の超伝導
- 12a-H-8 Si(100)-MOSの[001]圧力下でのサブバンド構造とサイクロトロン共鳴
- 7p-B-8 M.O.S.反転層における超伝導理論
- 反転層における超伝導の新しい機構(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 7a-U-2 M.O.S.反転層中の音響型プラズマ振動