3p-DS-17 InSbの磁気抵抗効果と電子散乱機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-09-11
著者
関連論文
- 31a GD-6 楕円体勢力面 (110) 模型
- 1a-K-2 InSbにおけるwarm electron係数
- 3p-DS-17 InSbの磁気抵抗効果と電子散乱機構
- 5a-M-6 HgTeの電気的性質と熱処理温度
- 5a-M-4 非放物線的電子帯を持つ結晶の磁気抵抗
- 5a-H-4 Cd_xHg_Teの電気的性質
- Cd_xHg_1-xTeの結晶成長
- 9p-B-6 HgTe結晶の熱処理による磁気抵抗の変化
- Cd_xHg_1-xTe状態図の液相線の圧力依存性
- HgTe結晶の熱処理と電気的性質(II) : 伝導機構の考察
- 3p-N-12 Cd_xHg_Teの結晶成長と組成分布
- HgTe結晶の熱処理と電気的性質
- HgTe単結晶の電気的性質 : 半導体 (化合物, その他)
- 1a-K-1 Warm Electronに対するBoltzmann-Bloch方程式