23p-G-12 HgTeの一軸性圧力下における電流磁気効果 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1973-11-22
著者
関連論文
- 6p-H-12 0.1°K以下におけるn-InSbの電気伝導 III
- 14a-K-11 0.1°K以下におけるn-型InSbの電気伝導 II
- 14a-W-8 静水圧下におけるテルルの電気伝導 III
- 8p-F-11 極低温におけるSiの高周波特性(XI)
- 強磁場の半導体物理学への応用に関する国際会議
- 熱電能のマグネトフォノン振動--InSbのp型-真性遷移領域での異常
- 5p-W-9 2H-NbS_2の第II臨界磁場の異方性
- 4a-R-11 一軸性応力下におけるHgTeの異常磁気抵抗 II
- テルルの価電子帯およびアクセプタ状態のゼ-マン効果と不純物伝導における負の磁気抵抗
- 12a-W-8 Pb_Sn_xTeの電子易動度と電流磁気効果
- 12a-W-1 一軸性応力下のHgTeの異常磁気抵抗効果
- 23p-G-12 HgTeの一軸性圧力下における電流磁気効果 II
- 5a-M-8 HgTeの一軸性圧力下における電流磁気効果
- 13a-H-10 テルル中のisoelectronic impurity state
- 3a-N-13 極低温におけるTe単結晶の電気伝導 V
- 8a-B-15 極低温におけるテルル単結晶の電気伝導 IV
- 7p-Q-12 極低温におけるテルル単結晶の電気伝導 III
- 2p-TC-7 極低温におけるTe単結晶の電気伝導 II
- 15a-A-15 極低温におけるTe単結晶の電気伝導
- n型InSbのホット・エレクトロン効果 : 半導体シンポジウム : 低温における III-V 化合物のホット・エレクトロン
- 2) R. Dalven : Electronic Structure of PbS, PbSe and PbTe, p. 179〜224.
- 28p-PS-35 90K超伝導体LaBa_2Cu_3O_yの試料作製
- 28p-PS-25 LaBa_2Cu_3O_yの電気的磁気的性質
- 4a-F-12 K_MoO_3の低周波雑音と準安定状態
- 1p-PS-90 La_Ba_Cu_3O_yの構造(低温(酸化物超伝導体))