7a-F-17 InSbプラズマ中に形成されるピンチ効果の定量的解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-04-06

著者

• 森崎 弘

  阪大工

関連論文

• 7p-G-7 InSbにおけるphononの磁場効果
• 半導体発振現象 : 半導体シンポジウム
• 1p-N-16 QスイッチCO_2レーザーによる半導体の光電効果
• 7a-F-17 InSbプラズマ中に形成されるピンチ効果の定量的解析
• 新しいTYPEのInSbからのマイクロ波発振 : 半導体 : ダイオード,不安定
• InSb中のプラズマV : 半導体(不安定性)
• InSb中のプラズマIV : 半導体 : 不安定性
• InSb中のプラズマIII : 半導体 : 理論と不安定性
• 9p-F-6 InSb中のプラズマII
• InSb中のプラズマ I : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)

スポンサーリンク