18p-A-13 熱変換したP-GaAsの電気的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-11-15
著者
関連論文
- n-InSbのCarrien freeze-out効果に対するscreeningの影響 : 半導体(不純物伝導)
- 高温に於けるGaAsのmobility : 半導体(不純物伝導)
- 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
- 3p-TC-1 プロトン照射したGaAsの性質
- 3a-TC-14 n-GaAsのconduction-band tailing
- 3a-TC-8 高温に於けるGaAsのmobility
- 18p-A-14 GaAsのX線異常分散法解析と選択成長の方位効果
- 18p-A-13 熱変換したP-GaAsの電気的特性
- 12p-K-15 GaAsの熱処理効果;As-S混合蒸気中での熱処理
- 9p-A-13 CdS,ZnSeのアクセプターと吸収端発光
- GaAsのバンド間およびそれより高エネルギーの発光 : イオン結晶・光物性
- III-V族半導体, 特にInSbのホット・エレクトロンと不純物帯
- PhotoluminescenceによるGaAsのConduction Band Tailing : 半導体 (下純物)
- 14p-K-1 n-InSbの非線形伝導(III),(IV)
- 4p-G-11 n-InSbの非線形電気伝導(II)
- 4p-G-10 n-InSbの非線形電気伝導(I)
- n-GaAsの電気的性貭の圧力効果 : 半導体 : 不安定,輸送
- GaAsの強電場効果I : 温度効果その他 : 半導体 : 理論と不安定性
- 9a-F-11 GaAsの強電場効果
- 半導体の非オーム性伝導と発振現象
- GaAsに於ける発振現象 : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- InSbの強電場効果 II. n-InSb : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- InSbの強電場効果 I. p-InSb : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- InSbのhot electron(半導体(不純物伝導))
- 粉末結晶における核四極共鳴スペクトルのゼーマン効果 : 磁気共鳴