KF法で生成されたBaTiO_3:Ga系の電気抵抗 : 誘電体

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1966-10-15

著者

• 竹田 武司

  松下電器中央研究所

• 渡部 昭典

  松下電器中央研究所

関連論文

• KF法で生成されたBaTiO_3:Ga系の電気抵抗 : 誘電体
• 還元されたBaTiO_3中のGd^のE.S.R. : 半導体(レゾナンス)
• BaTiO_3半導体中のGd^のE.S.R : 半導体(化合物)
• 二酸化バナジウム半導体の熱起電力 : 半導体(磁性半導体)
• 二酸化バナジウム半導体の電気伝導 : 半導体 : 不純物伝導

スポンサーリンク