Si-SiO_2境界面に於ける電気的性貭 (III) : 半導体 : 結晶,表面
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-10-12
著者
関連論文
- Si-SiO_2境界面の電気的性貭 : 半導体 : 結晶成長
- 6p-F-12 低温におけるHall係数の電場依存,中間濃度,n-Ge
- 6a-F-11 クライオサー現象の結晶異方性 III
- クライオサー現象の結晶異方性(II)(半導体(p-n接合))
- 5a-A-5 クライオサー現象の結晶異方性
- Si-SiO_2境界面に於ける電気的性貭 (III) : 半導体 : 結晶,表面
- Si-SiO_2境界面の電気的性質(II) : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))