n-Geの強磁場低温の電流磁場効果 : 半導体 : 測定法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-04-06
著者
関連論文
- 6a-F-9 p-PbTeのピエゾ抵抗効果 III
- P-PbTeのピエゾ抵抗効果 II : 半導体
- 6a-L-9 P型PbTeのピエゾ抵抗効果
- 13a-K-8 n-Geの強磁場での不純物伝導IV
- n-Geの強磁場での不純物伝導 III : 半導体 : 雑
- n・Geの強磁場での不純物伝達II : 半導体(輸送)
- n-Geの強磁場での不純物伝導 : 半導体 : 不純物伝導
- n-Geの強磁場低温の電流磁場効果 : 半導体 : 測定法
- n-Geの強磁場での抵抗 : 半導体(Si, Ge)
- Geの強磁場磁気抵抗縦効果(半導体(電流,磁気,歪))
- 8p-A-5 極低温でのPbTeの易動度
- 8p-A-3 PbTeのホール係数と易動度の温度変化
- 半導体実験(昭和37年度における各専門分野研究活動の展望)
- PbTe系半導体のバンド構造
- p-PbTeの強磁場磁気抵抗 III : 半導体
- 6a-L-11 p-PbTeの強磁場磁気抵抗 II
- 6a-L-10 p-PbTeの強磁場磁気抵抗 I
- 13p-A-11 p-Bi_2Te_3のホール係数の温度変化
- 13p-A-10 P・Bi_2Te_3の電流磁場効果
- Bi_2Te_3結晶の電流磁場効果と電子帯構造 : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- Bi_2Te_3結晶の電流磁場効果 : 半導体
- Bi_2Te_3の低温での電気的性質 : 半導体
- 電流磁場効果の異方性 II : 半導体
- 電流磁場効果の異方性 : 半導体
- 2a-L-6 電流磁場現象の量子効果