Ge-Si合金中の不純物光伝導 : 半導体 : 表面

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1965-04-06

著者

• 植田 陽一

  神戸工業

• 清 英夫

  富士通研究所

• 植田 隆一

  富士通研究所

• 植田 隆一

  神戸工業

• 清 英夫

  神戸工業

• 鈴江 英治

  神戸工業

関連論文

• 14p-A-6 InSbのp-n junction
• 3p-LT-6 分光用半導体レーザ
• 5a-H-3 Hg_Cd_xTeにおける組成の不均一
• 30a-N-5 Hg_Cd_xTeにおけるホール係数の振動
• 9p-B-11 Hg_CdxTeの電気的性質
• 9p-B-7 磁場中のHgTeおよびHg_CdxTeの遠赤外反射 I
• Ge-Si合金中の不純物光伝導 : 半導体 : 表面
• 2)1024画素MCCDフォトセンサー(テレビジョン電子装置研究会(第77回))
• InSbの2光子吸収と光伝導 : 光物性

スポンサーリンク