2a-X-5 GaSe/GaS系量子井戸の発光現象

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-09-12

著者

• 神部 信幸

  NTT基礎研

• 佐野 恵理子

  NTT基礎研

関連論文

• 31a-Z-5 GaS_xSe_薄膜のMBE成長とその積層秩序
• 4a-C-17 III-VI族半導体GaSe-Auショットキー接合
• 3p-C-18 GaSe系量子井戸の励起子
• 4a-C3-14 MBE成長GaSe薄膜の励起子発光
• 25p-X-18 GaSe/GaS系量子井戸励起子の発光過程と励起密度依存性
• 4p-A2-9 イオン注入によるGaSe層間への擬インターカレーション
• 吉田貞史, 薄膜, 培風館, 東京, 1990, x+302p., 22×15.5 cm, 3,914円 (応用物理工学選書, 3) [大学院向教科書]
• 2a-X-5 GaSe/GaS系量子井戸の発光現象
• K. Nakao and S. A. Solin: Graphite Intercalation Compounds; Proceedings of the International Symposium, Tsukuba, 1985, Elsevier Sequoia S. A., Lausanne, 1985, xvi+554ページ.
• 28a-TJ-9 Au基板上へのGaSe MBE成長(28aTJ 表面・界面)
• 31p-K-8 GaSe超薄膜内の励起子(31pK イオン結晶・光物性(励起子,ポラリトン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク