4p-A-17 アモルファスでの電子状態と電子格子相互作用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-09-10
著者
関連論文
- 半導体不純物における双安定性と電子間相互作用
- 4a-D-8 アモルファス半導体の電子状態と格子緩和
- 27a-YN-12 混晶半導体を用いた量子井戸構造の電子状態と光吸収スペクトル
- 25a-YE-1 アモルファス半導体の構造ゆらぎと光吸収スペクトルI
- 25p-T-6 半導体の欠陥における格子緩和と欠陥反応
- 30a-YK-12 対称性の低下を伴う構造変化と欠陥反応
- 7p-H-18 Charge Transfer Insatbility, Structural Change and Relaxation Processes of a Tetrahedral System:II
- 電子励起構造変化と新物質相
- 電子格子相互作用とイオン移動
- 28p-Z-17 準低次元系における自己束縛
- 27a-N-10 量子井戸中の不純物による外因性自己束縛
- 3p-J-7 半導体中の不純物・欠陥における電子励起原子移動
- 12a-DF-10 アモルファス半導体における電子格子相互作用の再検討
- 28a-ZH-15 量子井戸中の不純物
- 27p-C-1 はじめに : 研究の発展と現状
- アモルファス半導体における電子格子相互作用と局在中心 (アモルファス半導体と新材料) -- (トピックス)
- 27p-A-8 原子配位の安定性と電子状態II
- 26a-X-18 原子配位の安定性と電子状態
- 3a-D5-4 多電子・格子系の電子状態 : 強磁性と電子格子相互作用の関係
- 半導体中の深い準位に対する配位座標モデルについて
- 27a-D-14 電子相関と電子格子相互作用の競合に対する自己無撞着平均場理論II
- 移動度端と電子格子相互作用 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
- 4p-A-17 アモルファスでの電子状態と電子格子相互作用
- 2p-KP-5 電子正孔分離型ダブルヘテロ接合における励起子状態
- 2p-KP-4 ダブルヘテロ接合(量子井戸)の励起子のサブバンド依存性
- 11p-S-18 低次元結晶におけるセルフトラッピング
- 29a-M-6 ダブルヘテロ接合 (量子井戸) における励起子状態
- 30a-P-7 非等方および低次元媒質での電子格子相互作用