3p-B-9 n-InSb, n-GaAsにおけるホットエレクトロンマグネトフォノン共鳴
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-09-10
著者
関連論文
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 7p-W-10 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリラン散乱と光変調(II)
- 6p-L-7 CdSの音響ドメインによる共鳴ブリルアン散乱
- 3p-M-8 GaSeのエレクトロリフレクタンス(IV)
- 3p-M-7 GaSeのエレクトロリフレクタンス(III)
- 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
- 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
- 3a GE-3 六方晶ZnSの共鳴ブリルアン散乱
- 3a GE-2 準静的近似による共鳴ブリルアン散乱の解析
- 5p-LT-16 変調分光学からみた共鳴ブリルアン散乱
- 5p-LT-15 ZnSとCdSの共鳴ブリルアン散乱
- 31a-BH-3 Zn_xCd_1-xTe の共鳴ブリルアン散乱
- 31a-BH-2 GaAsにおける共鳴ブリルアン散乱機構
- 30a-E-11 GaSe, GaSの共鳴ブリルアン散乱
- 3p-B-18 ピエゾ複屈折理論に関する一考察
- 5a-K-2 ZnTeの共鳴ブリラン散乱(I)
- 5a-K-1 ZnTeの共鳴ブリラン散乱(II)
- 27a-Q-4 GaAsにおける励起子-電子衝突効果
- 3p-B-10 GaAsにおける励起子の衝突解離
- 2p GE-2 GaAsにおけるエキシトンのブロードニング効果
- 26a-YE-10 SOI-MOSFETにおける界面ラフネス散乱による電子移動度の解析
- 29p-N-10 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 III
- D-5 マグネトフォノン共鳴によるn-Siのインターバレーフォノンの測定(音波物性I)
- 1a-B-5 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴 II
- 1a-Pβ-34 n-Geにおける磁気フォノン共鳴(III)
- 1a-Pβ-33 n-Siにおけるマグネトフォノン共鳴(I)
- F-6 マグネトフォノン共鳴によるバンド端フォノンおよびインターバレーフォノンの測定(一般講演)
- 5p-NL-5 n-Geにおける磁気フォノン共鳴 II
- 1a-K-3 n-InSbにおけるホットエレクトロン分布関数とエネルギー損失過程
- 31a-K-4 n-Geにおける磁気フォノン共鳴
- 3p-B-9 n-InSb, n-GaAsにおけるホットエレクトロンマグネトフォノン共鳴
- 11p-F-9 Si-MOSのElectroreflectance
- 2p GE-3 低温におけるn-GaAsの磁気フォノン共鳴
- 5a-LT-7 高温におけるn-GaAsの磁気フォノン共鳴
- 1p-BJ-3 n型 InSb における磁気フォノン共鳴の移動度依存性
- 1a-BJ-9 n-Iiのホットエレクトロン効果
- 1a-BJ-8 n-InSbにおける低温のホットエレクトロン領域の磁気フォノン共鳴
- 3a-BJ-6 n-CdSnA_2 のシュビニコフード・ハース振動
- 5a-G-7 Cd_xHg_TeのElectro-reflectance
- 30a-D-4 n-InSb, n-GaAsにおけるホットエレクトロン・マグネトフォノン共鳴
- 3a-B-2 P-InSbにおける磁気フォノン共鳴
- 4p-M-6 n-InSbにおけるホットエレクトロン領域の磁気フォノン共鳴
- 7a-B-11 n-InSbにおける磁気フォノン共鳴のフーリェ解析II
- 7a-B-10 n-InSbにおける磁気フォノン共鳴のフーリェ解析 I
- 14a-W-2 低温におけるホットエレクトロンのマグネトフオノン共鳴
- 7p-W-9 CdSの表面波音響電気電圧の光照射効果
- 3p-M-5 CdSのoff-axis音響ドメインによるブリルアン散乱(II)
- 3p-M-4 CdSのoff-axis音響ドメインによるブリルアン散乱(I)
- 3p-KL-13 低温におけるホットエレクトロンのマグネ・フォノン共鳴
- 31a-BH-1 層状半導体GaSのブリルアン散乱