4p-L-6 低エネルギー単色陽電子源
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-09-11
著者
関連論文
- 11a-E-3 飛行中陽電子のK殻軌道電子による二光子消滅
- 5p-T-5 ^Zrの1.76MeVO^+励起状態の2光子放出転移
- 30p-S-14 放射性電子捕獲断面積 : 26 MeV/u Ar^C
- 30p-S-13 26 MeV/u Arイオンの固体通過後の荷電分布
- 29a-T-11 ^Hoの電子捕獲を用いた、エレクトロンニュートリノ(Ne)の質量の測定
- 3a-WA-5 低温N_2ガス中のe^+及びPsの寿命測定
- 2a-KP-12 低エネルギーe^+-He散乱におけるRamsauer Minimum
- 27p-J-2 低エネルギー e^+-He散乱 III.Ps生成しきい値付近の全散乱断面積
- 2a-M-3 低エネルギー陽電子とヘリウム散乱II : 全散乱断面積
- 5p-NU-2 低エネルギーe^+-He散乱I.実験装置
- 31a-B-3 MgO減速材からの低エネルギー陽電子の角度分布
- 2p-E-13 陽電子減速材からの低エネルギー陽電子の放出
- 4p-L-6 低エネルギー単色陽電子源
- 超重イオン衝突系の陽電子生成に関する実験的検証
- 31p-S-8 Kingdon型イオントラップの特性
- 3a-G-2 X線用高気圧(〜10気圧)PSPCの開発
- 30a-X-3 放射線検出器の新しい2次元位置読み出し法 : 並列容量結合電荷分割法
- 4a-ZG-2 10〜30MeVのNe-Ne衝突によるKX線放出確率の散乱角・方位角依存性
- 28p-YD-4 荷重結合容量バックギャモン法による2次元MWPCの応用その2
- 27a-ED-4 50MeV Ar-C薄膜衝突におけるArKX線の標的膜厚及び入射イオン荷電依存性(原子・分子)
- 1a-CD-1 50MeV ArビームKαサテライト線の標的膜厚依存性(原子・分子,第41回年会)