2p-N-4 マグナス縁塩の部分酸化塩 Pt_6(NH_3)_<10>Cl_<10>(HSO_4)_4 の熱的, 電気的性質

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1979-09-15

著者

• 榎 敏明

  京大分子研

• 榎 敏明

  分子研

• 榎 敏明

  東京工業大学理学部

• 辻川 郁二

  京大理

• 窪田 亮三

  京大理

関連論文

• 29a-X-7 ナトリウム-水素-黒鉛層間化合物のNMR(II)
• 31a-YM-9 ナトリウム-水素-黒鉛層間化合物のNMR
• 6a-P-5 〔Pt(NH_3)_4〕〔PtCl_4〕の部分酸化塩の電気伝導等諸性質
• 6p-R-11 マグナス緑塩の部分酸化塩の電気伝導
• STM/STSによるグラフェン端の電子状態の観測
• グラファイトのジグザグ端とアームチェア端のSTM/STS観察
• 29a-E-5 塩化鉄-グラファイト層間化合物の電気抵抗
• 31p-BC-5 グラファイト・インターカレーション化合物の低温物性(II)
• 3p-LD-1 FeCl_ : グラファイト層間化合物および残留化合物の磁性
• 4a-P-2 塩化鉄黒鉛層間化合物の構造
• ナノグラフェンの電子物性と化学修飾による制御
• 25a-Z-8 ハロゲン架橋白金錯体硫酸塩の結晶構造と混合原子価状態
• 28p-U1-2 CsFeCl_3・2H_2Oの強磁場磁化過程
• 28p-D-20 CsFeCl_3・2H_2Oの光吸収スペクトルの温度依存性
• 28p-D-19 CsMn_Co_xCl_3・2H_2Oにおけるエキシトン移動
• 28p-D-12 光吸収スペクトルからみたCsCoCl_3のソリトン
• 27a-D-8 ハロゲン架橋白金混合原子価錯体におけるA-bandの光誘起効果とAuドープ効果
• 29p-G-4 Ce_xTaS_2の物性(III)
• 28p-P-12 一次元磁性体CsCoCl_3・2H_2Oの強磁場磁化過程
• 27a-E-5 YbCrO_3 における R'band の bound state
• 27a-E-2 強磁場におけるCsCoCl_3・2H_2Oのマグノンサイドバンド (II)
• 負の膨張係数をもつ一次元物質 : 白金ハロゲン架橋混合原子価錯体
• 2a-R-14 一次元反強磁性体AMnCl_3・2H_2O(A=Cs,(CH_3)_2NH_2)のエキシトン線の磁場下での挙動
• グラファイト-カリウム層間化合物のπ的電子超伝導
• 5p-TC-13 二次元反強磁性体[NH_3(CH_2)_nNH_3]MnCl_4の光吸収スペクトル
• 5p-TC-12 強磁場におけるYbCrO_3のCr励起子-Ybスピンフリップ複合励起の異常な振舞
• 5p-TC-11 YbCrO_3のR'-Bandに於ける異常ゼーマン効果
• 5p-TC-9 Ising型反強磁性体CsCoCl_3・2H_2Oにおける励起子-マグノン相互作用
• 5p-TC-7 一次元反強磁性体のダビドフ分裂
• 5a-A-18 白金一次元混合原子価錯体[Pt(NH_3)_4][Pt(NH_3)_4X_2](HSO_4)_4,Pt_6(NH_3)_Cl_X_4の構造と物性
• 日本科学会編: 伝導性低次元物質の化学, 学会出版センター, 東京, 1983, x+248ページ, 26×18.5cm, 3,500円 (化学総説, No. 42).
• 27a-E-5 YbCrO_3 における R'band の bound state
• 5p-TC-11 YbCrO_3のR'-Bandに於ける異常ゼーマン効果
• 30a-L-11 RbCoCl_3・2H_2Oのマグノンサイドバンド
• 6a-P-13 反強磁性体DyCrO_3の光吸収スペクトルII
• 4p-TB-6 反強磁性DyCxO_3の光吸収スペクトル
• 16p-B-12 YCrO_3サイドバンドの温度依存性
• ナノグラファイトの構造と固体物性
• 表面科学関連分野での応用 : 界面計測, 表面修飾(STMを用いた自己組織化単分子膜の伝導特性評価)
• 電気化学環境下における分子エレクトロニクス研究
• 3p-WB-12 C_8Rbの超伝導
• 3p-WB-10 C_8RbH_xの磁化率
• 5a-YA-9 (BEDT-TTF)-ClO_4系の磁性(I) : 静磁化率
• 2p-A-5 C_8Rbの超伝導
• 3p-KH-14 グラファイト・アルカリ金属層間化合物及びその水素吸蔵物の磁化率
• グラファイト-K層間化合物の超伝導(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
• グラファイト・カリウム・セシウム及びグラファイト・カリウム・水素三元系層間化合物の合成と構造(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 30a-Q-8 グラファイト層間化合物C_xK及びC_8Cs_xK_の超伝導
• 30a-Q-7 グラファイト-カリウム-水素三元系層間化合物の超伝導
• 12a-S-9 帯磁率から見たC_8Kの超伝導転移
• 11p-B-4 帯磁率から見たC_8Kの超伝導転移
• 30a-T-4 銀超微粒子の低温領域での熱容量異常
• グラフェン研究への2010年ノーベル物理学賞決定にあたり
• 2p-A-17 グラファイト・アルカリ金属層間化合物の水素物理吸着及び化学吸着の陽電子消滅法による研究
• 3p-KH-13 グラファイト・アルカリ金属・水素三元系の陽電子消滅
• 3p-KH-12 陽電子消滅法によるグラファイト : アルカリ金属層間化合物の研究
• 28a-B-6 KH-GICの電気伝導
• 12p-B-6 グラファイト-アルカリ金属層間化合物一水素系
• 12a-E-10 水素を含むグラファイト・アルカリ金属三元系の物性II
• 29p-M-9 水素を含むグラファイト : アルカリ金属三元系の物性
• グラファイト-アルカリ金属層間化合物の水素吸蔵と物性(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
• グラファイト-アルカリ金属層間化合物の水素吸蔵と物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 日本化学会欧文誌のSGML形式全文データベースの構築・印刷そして検索
• 13a-PS-25 希土類オルソクロマイトRCrO_3におけるCr励起子の挙動II : R^スピンフリップを伴ったCr励起子
• 13a-PS-24 希土類オルソクロマイトRCrO_3におけるCr励起子の挙動I : R^スピン分極のゆらぎに束縛されたCr励起子
• 4p-Z-3 反強磁性体 YbCrO_3 の Cr 励起子・ Yb スピンフリップ吸収
• 31p GM-2 YbCrO_3のメタ磁性と励起子吸収
• 5a-DR-12 反強磁性体GdCrO_3におけるR'サテライト吸収
• 5a-DR-11 反強磁性体YbCrO_3におけるR'サテライト吸収
• 4p-TB-10 CsMnCl_3のサイドバンドの温度変化
• 6a-P-11 Cs_3CoCl_5のZeeman Effect III
• 16p-B-20 MnF_2のマグノンサイドバンドの温度変化
• 反強磁性DyAlO_3の光吸収スペクトル : イオン結晶・光物性
• 3p-L-5 タリウムクロムミョウバンのR線ゼーマン効果
• 28a-B-12 グラファイト-アルカリ金属-水素3元系層間化合物の陽電子消滅
• 30p-M-5 一次元白金錯体Pt_6(NH_3)_Cl_(HSO_4)_4の金属 : 半導体転移
• 2p-N-4 マグナス縁塩の部分酸化塩 Pt_6(NH_3)_Cl_(HSO_4)_4 の熱的, 電気的性質
• 31p GM-9 反強磁性体Ni(OH)_2の比熱
• 1a-CK-1 [Pt(NH_3)_4][PtCl_4] の部分酸化塩の熱的性質
• 17.ランダム磁性体Ni_pMg_(OH)_2(ランダム系の相転移,研究会報告)
• 4p-F-7 ランダム磁性体NipMg_(OH)_2の比熱
• 5p-N-12 NipMg_(OH)_2の磁性
• 3a-T-11 NipMg_(OH)_2の磁性
• 24a-M-1 Ni_pMg_(OH)_2の磁性
• 13a-K-1 NipMg_(OH)_2の磁性
• 6p-M-7 Co_xMg_SO_4の磁性
• 10a-S-9 DyCrO_3におけるCr励起子 : Dgスピンフリップ吸収
• Cs_2CoCl_4単結晶の線状吸収スペクトルとZeeman効果 : イオン結晶・光物性
• 3p-WB-13 グラファイト・ルビニウム層間化合物の陽電子消滅スペクトラム
• 3p-Q-3 DyCrO_3の磁化過程と光スペクトル
• 2p-A-1 1T-TaS_2及びその層間化合物3R-TaS_2(en)_xの電気抵抗
• IT-TaS_2及び層間化合物3R-TaS_2(en)_xの電気抵抗(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
• 29a-J-7 (BEDT-TTF)_2ClO_4.0.5C_2H_3Cl_3の電気的性質の冷却速度依存性
• 31a-K-8 新しい有機導体(BEDT-TTF)_2ClO_4の物性
• グラフェン研究への2010年ノーベル物理学賞決定にあたり
• 27p-LD-6 グラファイトおよびグラファイト-アルカリ金属層間化合物の水素吸蔵と陽電子消滅(半導体)
• 27a-LD-3 KH-グラファイト層間化合物の熱膨張(半導体)
• 3p-D2-1 グラファイトールビジウム層間化合物及びその水素吸蔵物の磁化率(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
• 29p-EA-11 二次元金属(BEDT-TTF)_2ClO_4(C_2H_3Cl_3)_のスピン常磁性の振舞における冷却速度依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 3p-D2-3 グラファイト・カリウム層間化合物の陽電子消滅スペクトル(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク