14a-DH-11 Te:Ge/Si(001)Surfactantエピタキシャル成長の表面構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-09-20

著者

• 樋口 眞次

  東ソー(株)

• Osten H.j.

  Insti.semicon.phys.

関連論文

• 30p-G-8 表面変性によるPt(111)上Coの成長
• 27a-Z-6 表面変性によるCo/X(X=Au, Pt, Pd)界面の制御
• 27a-Z-5 いくつかの基板上に成長させたAu薄膜界面の電顕観察
• 29p-PS-19 Te/Si(001)面上へのGeの成長
• 30p-BPS-14 触媒原子によるSi(001)上Geエピタキシャル成長の制御
• α窒化ケイ素ウイスカー-析出型窒化ケイ素-ジルコニア複合焼結体
• 14a-DH-11 Te:Ge/Si(001)Surfactantエピタキシャル成長の表面構造

スポンサーリンク