3p-B-5 MeV重イオン照射による固体からの2次イオン放出機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- 28p-XK-8 分子イオンの衝突で生成する解離粒子のCCDカメラを用いた測定
- 5p-YC-6 1MeV C^イオンの電子捕獲に伴うCO分子の解離過程
- 微小角散乱イオンと反跳イオンの電荷分布同時測定II
- 28a-S-3 微小角散乱イオンと反跳イオンの電荷分布同時測定
- 30p-YS-3 MeVヘリウムイオンの荷電変換微分断面積測定
- 30p-YS-2 炭素-アルゴン衝突における荷電変換および標的電離の同時測定 II
- 12p-Q-13 LB膜上単原子層標的を用いたMeVヘリウムイオンの荷電変換微分断面積測定II
- 12p-Q-12 炭素-アルゴン衝突における荷電変換および標的電離の同時測定
- 30a-L-13 低エネルギー炭素イオンの炭化水素中での電荷変換衝突(原子・分子)
- 25p-L-7 C^イオンによる電子捕獲と電離標的イオンの同時測定
- 30p-YB-14 C_クラスター解離の入射粒子依存
- 3a-L-11 低エネルギーBeイオンによる炭素含有分子からの電子捕獲断面積
- 3p-B-9 重イオン衝突によるC_クラスターの解離
- 29a-YS-12 MeVエネルギー重イオン照射による固体からの2次イオン放出 V
- 27p-S-3 多層薄膜から発生する遷移放射X線の研究
- 29p-YB-11 多層薄膜をもちいた遷移放射の硬X線発生
- 4a-B-10 多層薄膜から発生する共鳴遷移放射の単色化
- 29p-YS-4 多層薄膜から発生する共鳴遷移放射の性質II
- 13a-Q-11 多層薄膜から発生する共鳴遷移放射の性質
- 29a-YD-3 多層薄膜から発生する遷移放射X線の研究II
- 27aXP-7 レーザイオン化による固体からの二次中性粒子の質量分布測定(放射線物理)(領域1)
- 27axP-8 水晶振動子を用いたMeV領域での全収率測定の検証(放射線物理)(領域1)
- 4p-NU-9 電子捕獲による準安定状態Heビームの生成
- 22aTE-6 イオンビームによるナノクラスター・結晶構造の生成と機能化
- 21pTD-5 MeV 重イオン衝撃による固体からのクラスター形成に関する考察
- 21pTD-4 重イオン照射による化合物半導体からの二次イオン放出機構
- 29aXD-1 結晶ターゲットから発生するナロービーク遷移放射の計算 II
- 28pXD-10 重イオン照射による化合物半導体からのクラスターイオン放出 II
- 18pTD-8 高速重イオン照射によるGaAs及びSiターゲットからの二次イオン放出
- 30aZF-5 keVエネルギー領域におけるNiイオンの電子捕獲断面積絶対測定
- 28pZE-8 重イオン衝撃によるAl_2O_3ターゲットからの二次イオン放出の特異性
- 25pYJ-5 重イオン照射による二次イオン放出の固体物性依存
- 24pA-7 重イオン照射によるC_薄膜からのスパッタリング
- 24pA-6 重イオン衝突によって誘起したC_分子からの二次電子放出
- 24pA-5 イオン衝突によるC_分解片イオンの初期エネルギー分布II
- 24pA-2 重イオン照射により発生する二次イオンのエネルギー分布の固体物性依存
- 23aA-5 直線偏光共鳴遷移放射X線の発生
- 22pC-5 低速Niイオンの電荷変換断面積
- 26pB-2 イオン衝突によるC_分解片イオンの初期エネルギー分布
- 29a-XK-3 ターゲット斜傾法による吸収端遷移放射の最適化
- 1p-H-7 シリコン注入Al中での水素のアニーリング拳動
- 30p-P-5 Al-Si合金にイオン注入した水素のアニール挙動
- 30p-K-14 準単色共鳴遷移放射X線の集光
- 5p-YC-9 キャピラリーによる準単色共鳴遷移放射X線の検出
- 3p-B-3 大角散乱イオンと反跳イオンの電荷分布同時測定 II
- 3p-B-2 大角散乱イオンと反跳イオンの電荷分布同時測定 I
- 30p-YK-3 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動IV
- 28p-E-4 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動III
- 29a-YB-1 GaAs(110)表面から出射する水素の中性化率の出射方位角依存
- 3p-B-6 Cs吸着GaAs表面から出射するLiの中性化率
- 4a-X-5 半導体検出器のチャンネリングによるエネルギーパルスのシフト
- 3p-X-8 固体による散乱イオンの電荷分布III-水素イオンの平衡電荷
- サイクロトロンによる重イオン加速 : 原子核実験(加速器)
- 3p-X-9 金属蒸気ターゲットのヘリウムイオン電荷変換衝突断面積
- 4p-Q-2 Nイオンによるクーロン励起
- 実践! 放射線計測応用技術(5)基礎科学分野--量子ビーム科学
- 30p-K-4 飛行時間測定法による二次イオン質量分析
- 28a-YD-5 飛行時間測定法による二次イオン質量分析
- 高速荷電粒子によるC_電離断面積
- 3p-S-2 荷電変換衝突に於けるチャネリング効果(II)
- 30a-K-5 イオン衝突による C_ 分解の研究
- 28p-XK-4 C_多重分解の入射イオン阻止能依存性
- 28p-XK-3 C_透過Liイオンの準平衡電荷分布
- 28p-XK-2 高速中性Li粒子によるC_衝突分解過程
- 25p-J-14 電子的スパッタリング放出粒子の飛行時間測定法による二次イオン質量分析 II
- 25a-J-2 電子衝撃によるC_分子の電離・分解断面積
- 25a-J-1 荷電変換衝突におけるC_分解過程
- 5p-YC-5 重イオン衝突によるC_60分解片の研究 : C:質量相関
- 31a-YK-8 ガスターゲットによるkeVエネルギーCrイオンの荷電変換II
- 29a-YD-5 Cs/GaAs(110)による水素イオンの共鳴中性化の直接測定
- 28a-YD-4 重イオン衝突によるC_60分解の研究 : B:分解片と放出電子との相関
- 28a-YD-3 重イオン衝突によるC_60分解の研究 : A:初期エネルギ測定
- 31p-ZG-2 MeVエネルギー重イオン照射による固体からの二次イオン放出III(放射線物理)
- 28a-H-8 MeV重イオン照射による固体からの2次イオン放出
- 25p-L-6 MeV重イオン照射による固体からの2次イオン放出 II
- 3p-B-5 MeV重イオン照射による固体からの2次イオン放出機構
- 28a-S-12 GaAs表面から出射する水素の中性化率の出射方位角依存II
- 31a-M-8 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動II
- 29p-N-7 シリコン添加されたアルミニウムに於ける水素の熱的挙動
- 31a-YC-6 Al-Ti合金中の水素のアニーリング挙動
- 6a-D-5 機能結合型電磁石の磁場測定
- 29a-YB-7 MeV重イオン照射による固体からの2次イオン放出
- 13p-Q-2 MeVエネルギー重イオン照射による固体からの2次イオン放出 IV
- 6pWE-5 重イオン照射による化合物半導体からのクラスターイオン放出(放射線物理,領域1)
- 24pZA-12 高速Siイオン照射による化合物半導体からの二次イオン放出(24pZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 28p-M-5 MeVヘリウムイオンの電荷変換断面積 : 蒸気及び固体ターゲット(28pM 放射線)
- 31p-W-9 電子衝突によるC_の分解(31pW 放射線物理,放射線物理)
- 31p-W-10 固体から発生する二次イオンの初期エネルギー分布(31pW 放射線物理,放射線物理)
- 28a-R-12 低エネルギー炭素イオンの電荷変換断面積 : H_2ターゲット(28aR 原子・分子)
- 28p-M-4 固体通過水素イオンの電荷分布III : 水素イオンの平衡電荷(28pM 放射線)