Si(001)-Ge表面上の非対称ダイマー構造のKeatingモデルによる検討

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-09-13

著者

• 井手 隆

  Nec基礎研究所

関連論文

• UHV-STMによるSi(001)微傾斜表面上の高温酸素吸着の観察
• Si(001)-Ge表面上の非対称ダイマー構造のKeatingモデルによる検討
• 3p-K-8 STMによるSi(001)-Ge表面の格子歪みの観察
• 28p-WB-2 Si(001):As表面上のGeの成長
• 14a-DH-5 STMによるSi(001)-As吸着過程の研究
• 13a-PS-6 Si(001)上のAs吸着によるシングルドメイン形成

スポンサーリンク