28p-YG-5 磁気的に結合したネットワークの磁場中超伝導特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 長田 俊人

  東大物性研

• 長部 太郎

  東大物性研

関連論文

• 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aGT-11 多層Dirac粒子系の強磁場Hall効果(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pPSB-54 カンチレバーを用いたパルス・ドハース法の開発(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pYG-11 PbドープBi2201のパルス強磁場中c軸抵抗(高温超伝導(トンネル分光,面間輸送),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRG-11 人工微細構造グラファイトの磁気抵抗測定(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aZB-13 グラファイトを用いた人工微細構造の作製(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30pTE-3 グラファイト細線の超強磁場下磁気抵抗測定(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYT-4 半金属グラファイトの超強磁場量子振動(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 15pWF-4 量子極限近傍における半金属グラファイトのホール効果(グラファイト, 領域 7)
• 17pWF-2 擬一次元導体の磁気抵抗角度効果における強電場効果III
• 30aYX-9 擬一次元導体の磁気抵抗角度効果における強電場効果II
• 24pYM-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波転移の超格子強度依存性
• 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pRB-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-15 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の低温相における角度依存磁気抵抗振動(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aPS-115 パルス強磁場中におけるトンネルダイオード発振器を用いた微小抵抗試料測定(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 31pZA-13 トンネルダイオード発振器を用いたパルス強磁場下 AC 磁化測定法の開発と微小有機結晶への応用
• 20pWF-3 非コヒーレントな層間結合をもつ層状物質における角度依存磁気抵抗振動の検証
• 20aYH-7 強磁場下半導体超格子における磁気抵抗効果
• 30pZB-12 高周波電気伝導測定法を用いた超強磁場中グラファイトの電子状態 III
• 25aYT-7 傾超強磁場量子極限NbSe_3の磁気抵抗測定 : ハーパーブロードニングの観測とHofstadter準位の探索(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-4 傾斜超強磁場下における電荷密度波物質 NbSe_3 の磁気抵抗(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30aYF-7 電荷密度波物質NbSe_3の超強磁場磁気抵抗の磁場方位依存(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 30aYF-7 電荷密度波物質NbSe_3の超強磁場磁気抵抗の磁場方位依存(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 28pYG-2 100T級超強磁場における2次元電子系の高周波電気伝導測定(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-2 100T級超強磁場における2次元電子系の高周波電気伝導測定(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 20pTG-6 擬一次元電荷密度波物質 NbSe_3 における超強磁場量子極限のハーパーブロードニング
• 28aYB-4 電荷密度波物質 NbSe_3 の超強磁場下磁気抵抗測定
• 20pWF-2 100T級超強磁場における擬二次元導体の輸送測定
• 25aSA-8 1巻きコイル法による100T級超強磁場における高周波伝導測定技術の開発
• 25aSA-8 1巻きコイル法による100T級超強磁場における高周波伝導測定技術の開発
• 24pD-2 半導体超格子における多層量子ホール状態の層数依存性
• 27pTC-14 半導体超格子における磁場方位に依存する磁気抵抗効果
• 25pSB-6 非コヒーレントな層間結合をもつ半導体超格子における角度依存磁気抵抗振動
• 24pD-11 多層量子ホール系におけるカイラル表面状態の電気伝導特性III
• 26a-YG-4 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性
• 26pYL-10 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における磁場中電荷密度波相(電荷秩序2, α-ET塩等,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWE-12 擬二次元有機導体α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4 における磁場誘起逐次相転移(TMTCF 塩, 領域 7)
• 25aYF-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2[M=Mn,Co,Cu,Zn]の低温電子状態(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRB-5 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Zn)の金属絶縁体転移II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14pYC-1 層間電場・傾斜磁場下における半導体超格子のカオス(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 27pYF-11 層間電場・傾斜磁場下の半導体超格子における電子軌道カオスの発生とフェルミオロジー(バリスティック伝導・量子細線・量子カオス)(領域4)
• 25aRB-8 多層Dirac電子系の磁場中電気伝導と普遍コンダクタンス(25aRB ディラック電子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pL-3 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性II
• 27pD-6 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性
• 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pK-6 異方的な近接効果接合配列におけるボルテックスのダイナミクス
• 28p-YG-4 近接効果接合配列における磁場中超伝導状態の異方性による変化
• 22aR-6 磁場誘起スピン密度波の磁場方位依存性II
• 24aE-5 磁場誘起スピン密度波の磁場方位依存性
• 26a-N-9 伝導面に平行な強磁場下における(TMTSF)_2CIO_4の層間磁気抵抗
• グラファイトの磁気輸送とディラック電子 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
• 27p-QA-2 (TMTSF)_2Xの磁場誘起SDWと小周期振動
• 20aWF-4 層状低次元導体における非対角磁気抵抗の磁場角度依存性(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXH-5 マイクロカンチレバーを用いた単一分子磁石の高感度トルク測定(量子スピン系(クラスター),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRB-16 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-16 平行磁場下および磁気貫通系における磁気抵抗共鳴現象のトンネル描像(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28aRB-2 電荷密度波に対する磁場効果〜Zeeman効果の抽出(28aRB ET系(α系等),領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aYX-8 傾斜磁場中の磁場誘起スピン密度波
• 23aQB-5 低次元導体における非対角磁気伝導の角度依存性(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pWF-4 κ型BEDT-TTF塩の面平行磁場下における上部臨界磁場
• 27pTE-6 X線・中性子透明パルス磁石の開発(27pTE 磁気共鳴一般・実験技術開発・酸化物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aYB-9 層状有機導体における角度依存磁気抵抗現象の起源 : 半導体単層系を用いた実験(24aYB ゼロギャップ半導体,磁気抵抗,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pZ-6 磁場中3次元tight-binding模型におけるバタフライ・スペクトル
• 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTA-11 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTA-7 グラフェン接合系における量子ホール端伝導(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aQB-9 交互積層型層状物質の角度依存磁気抵抗振動(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pRB-5 多層Dirac電子系の層間磁気抵抗(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19aRC-10 傾斜磁場下の多層量子ホール系の層間伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXH-2 定常磁場下におけるマイクロカンチレバーを用いた高感度高周波ESR測定装置の開発(25pXH 実験技術開発,磁気共鳴一般,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26a-N-8 (TMTSF)_2CIO_4の陰イオン配向秩序化の磁気抵抗への影響
• 25pXL-13 傾斜磁場下の多層量子ホール系の表面伝導(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-4 傾斜磁場下における少数層超格子の層間抵抗のピーク(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pRB-4 層状伝導体の層間磁気抵抗における平行磁場異常(28pRB TMTSF/TMTTF系等,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aYC-9 傾斜磁場下における少数層系半導体超格子の層間伝導(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-13 傾斜磁場下における半導体超格子の電界ドメインの形成(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 20aYH-13 アンチドット格子系の負性磁気抵抗と電子局在
• 21pTR-8 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態II(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク