29p-W-12 二次元半導体(C_6H_5C_2H_4NH_3)_2PbI_4における高密度励起時間分解発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
関連論文
- 28a-ZE-11 グレーティング基板上の半導体薄膜における励起子発光寿命
- 27a-YE-4 グレーティング基板上の半導体薄膜における発光増大 : 構造依存性
- 30a-YH-5 グレーティング基板上のPbI_2蒸着薄膜における光学特性
- GaAs量子井戸励起子のスペクトル分解四光波混合
- 29p-W-11 (C_6H_5C_2H_4NH_3)_2PbI_4薄膜のポラリトン発光ダイナミクス
- 29p-YM-12 励起子発光温度依存性の微小共振器による制御
- 28a-YQ-4 鉛臭素系層状ペロブスカイト化合物における光学非線形性のフォトカレントによる観測
- 4a-G-5 鉛臭素系層状ペロブスカイト化合物の光学非線形性
- 6p-G-14 GaAs量子井戸励起子のスペクトル分解四光波混合III
- 5p-J-1 グレーティング基板上の半導体薄膜における光学特性III
- 31a-YB-6 グレーティング基板上の半導体薄膜における光学特性II
- グレーティング基板上の半導体薄膜における光学特性
- 1p-YH-7 GaAs量子井戸のスペクトル分解四光波混合にみられる多体効果
- 2p-F-1 鉛臭素系層状ペロブスカイト化合物の励起子と構造相転移
- 26pYC-8 散乱体を近傍に付加した量子井戸中励起子からの発光
- 24pYB-7 グレーティング基板上の半導体薄膜における励起子発光寿命II
- 24aYB-7 グレーティング基板上の半導体薄膜における励起子発光寿命II
- 28a-ZG-8 1次元半導体C_5H_NH_2PbI_3の光学スペクトルとバンド構造II
- 29p-ZE-10 高密度励起子系を近傍にもつ量子井戸中に働く多体効果
- 26p-YN-5 1次元半導体C_5H_NH_2Pbl_3の光学スペクトルとバンド構造
- 27a-YN-1 GaAs半導体量子井戸中の超高速キャリアダイナミクス
- 1a-X-11 半導体微小共振器におけるポラリトン・モード分裂に及ぼす励起子線幅の影響
- 27p-YB-11 半導体微小共振器におけるポラリトン・モード分裂に及ぼす振動子強度の影響
- 29p-W-12 二次元半導体(C_6H_5C_2H_4NH_3)_2PbI_4における高密度励起時間分解発光
- 5p-F-1 自然量子井戸における2次元電子系の光学的性質
- 29p-Z-3 一次元半導体C_5H_10NH_2-PbI_3の光学的性質II
- 28p-YM-8 一次元物質C_5H_NH_2-PbI_3の光学的性質
- 31a-ZG-1 GaAs量子井戸における時間分解4光波混合の偏光依存性
- 2a-YG-2 一次元ペロブスカイト物質C_5H_NH_2PbI_3の電子状態 : 2光子励起スペクトルと静水圧効果
- 一次元半導体[NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5の光学的性質
- 31p-Y-5 二次元半導体(C_6H_5C_2H_4NH_3)_2PbBr_4における高密度励起時間分解発光