光熱作用による微小はりの変位拡大設計と応用
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概要
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The photothermal deflection of a microcantilever is much increased with a bimorph and an antireflection structure . The deflection is more than half wavelength by the temperature rise of 100℃ which is expected by an optical absorption of over 98% for the antireflection coating of Au/Si_3N_4/Au fabricated on the bimorph structure. The designed cantilever monolithically integrated on gallium arsenide (GaAS, λ=0.83 μm) or indium phosphide (InP, λ=1.3 μm) will be used for the extemal-cavity length change of a tunable laser diode.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1999-05-05
著者
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