エレクトロマイグレーション故障の加速試験に基づく市場故障率予測の方法

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概要

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• Electromigration as a wear-out failure mode for semiconductor devices plays an important part in predicting circuit reliability. In this report, a method of predicting the field failure rate caused by electromigration with current and temperature stressed test data is reported and a calculation program for it is presented. The failure by electromigration is assumed to be lognormally distributed according to recent experiments and the generalized Black's equation for median time to failure is used in the program.

• 宇部工業高等専門学校の論文

著者

• 岡村 好庸

  宇部工業高等専門学校電気工学科

• 宮本 秀範

  ソニー大分(株)

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