GaAs(211)A上に低堆積量で形成させたInAs量子ドットの発光特性

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概要

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• 甲南大学の論文

著者

• 原 邦彦

  甲南大学理学部応用物理学科

• バッカロ パブロ

  Atr Adaptive Communications Research Laboratories

• 大西 一洋

  甲南大学理学部応用物理学科

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