InGaP/GaAs HBTの直流温度特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 千葉工業大学の論文
• 2004-03-25

著者

• 古寺 博

  電気電子情報工学科

• 宮城 和彦

  電子工学専攻

関連論文

• デバイス物理に基づくGaAs FETの解析モデル
• InGaP/GaAs HBTの直流温度特性
• MOSFETの低周波雑音測定

スポンサーリンク