n-GaAsバルク半導体によるマイクロ波進行波増幅の解析
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概要
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In this paper, microwave travelling wave amplification in n-GaAs bulk semiconductor is analyzed about two models. One is the model neglecting the shape effect of the semiconductor bulk, and the other is the model considering it. By the above analysis, it became obvious that the mechanism of the amplification is composed of three effects, that is, two valleys effects, the interaction between two charge streams, and the coupling between a single charge stream and circuit wave.
- 山梨大学の論文
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