<論文>MOSFETを用いた可変しきい値ゲート回路の構成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• We describe a configuration method of the variable-threshold gate circuit to employ MOSFET with this paper. This gate circuit has two threshold levels. When the control signal of this gate circuit is in two threshold levels, an input signal is output. Then, output terminal becomes an high impeadance outside this. This gate circuit animates a characteristics of nmos transistor and pmos transistor, and composes a fundamental circuit. This fundamental circuit realizes variable-threshold function. With this paper, we state this fundamental circuit about a method to connect with it and to compose a gate circuit. This circuit enough responds to an also speed of a nanosecond.

• 神戸市立工業高等専門学校の論文
• 1997-02-28

著者

• 横山 修

  電気工学科

• 杉本 陵

  電気工学科

• 吉永 元一

  電気工学科

• 細川 武士

  電気工学科

関連論文

• MOSFETを用いた可変しきい値ゲート回路の構成
• ファジイ制御のフォールトトレラント化の方法 : アナログ方式の故障検出と故障回復の方法
• ファジイ制御におけるフォールトトレラント化の方法 : Wゲートによる構成について

スポンサーリンク