有機半導体界面における浅い局在状態密度分布のスペクトル解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-05
著者
-
松井 弘之
産業技術総合研究所 光技術研究部門
-
長谷川 達生
産業技術総合研
-
松井 弘之
産業技術総合研究所フレキシブルエレクトロニクス研究センター
-
ミシェンコ アンドレイ
理化学研究所基幹研究所交差相関物性科学研究グループ
関連論文
- 有機トランジスタの電子スピン共鳴 : キャリアダイナミクス解明への微視的アプローチ(センサー,デバイス,一般)
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価(センサ,デバイス,一般)
- 有機半導体界面における浅い局在状態密度分布のスペクトル解析(最近の研究から)
- 19pFH-2 印刷技術による有機デバイス物理の新展開(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pFH-2 印刷技術による有機デバイス物理の新展開(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXT-4 電子スピン共鳴による局在状態密度の観測(28pXT 領域7シンポジウム:分子性物質におけるゆらぎとコヒーレンス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機半導体界面における浅い局在状態密度分布のスペクトル解析