フローティングp層をゲートから分離した低損失、低ノイズ、高信頼な1.7kVトレンチIGBT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-10-27
著者
関連論文
- SC-5-5 800Mbit/s/ch×12ch光インタコネクト送信モジュール
- 電気自動車東大三月号 (UOT Electric March) の製作
- 電気自動車東大3月号(UOT Electric March)の製作
- 大容量IGBTの最近の進歩-絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
- 電気自動車のトラクションコントロールに関する基礎研究
- 路面状態推定を用いた電気自動車のトラクションコントロール
- 電気自動車のトラクション・コントロ-ルの提案と実験
- リアルタイム3次元超音波診断装置向け高耐圧多チャンネルマルチプレクサLSIの開発
- 短絡耐量をもつ新しい600VトレンチHiGT : HiGT : High-Conductivity IGBT
- 広い安全動作領域を有する低損失HiGT
- フローティングp層をゲートから分離した低損失、低ノイズ、高信頼な1.7kVトレンチIGBT
- DIプロセスを用いたアナログスイッチIC向け低オン抵抗小型MOSFET
- DIプロセスを用いたアナログスイッチIC向け低オン抵抗小型MOSFET
- フローティングp層をゲートから分離した低損失、低ノイズ、高信頼な1.7kVトレンチIGBT