Resonant Tunneling Transport in a GaN/AlN Multiple-Quantum-Well Structure
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概要
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- 2012-05-25
著者
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TCHERNYCHEVA Maria
Institut d'Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622, University Paris Sud 11
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Julien Francois
Institut D'electronique Fondamentale Umr 8622 Cnrs University Paris-sud
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Warde Elias
Institut D'electronique Fondamentale Umr 8622 Cnrs University Paris-sud
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Sakr Salam
Institut D'electronique Fondamentale Umr 8622 Cnrs University Paris-sud
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KOTSAR Yulia
Equips mixte Nano-physique et semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble
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ISAC Nathalie
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud
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MONROY Eva
Equips mixte Nano-physique et semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble
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Monroy Eva
Equips Mixte Nano-physique Et Semiconducteurs Inac/sp2m/npsc Cea-grenoble
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Kotsar Yulia
Equips Mixte Nano-physique Et Semiconducteurs Inac/sp2m/npsc Cea-grenoble
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Isac Nathalie
Institut D'electronique Fondamentale Umr 8622 Cnrs University Paris-sud
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Tchernycheva Maria
Institut D'electronique Fondamentale Umr 8622 Cnrs University Paris-sud
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Julien Fran{c}ois
Institut d'Electronique Fondamentale, UMR 8622 CNRS, University Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
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