格子間型酸化物イオン伝導体のミリングによる欠陥構造変化とその低温熱容量への影響
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概要
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- 2010-06-15
著者
-
川路 均
東工大応セラ研
-
阿竹 徹
東工大工材研
-
阿竹 徹
東工大総安セ
-
阿竹 徹
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
阿竹 徹
東京工業大学
-
阿竹 徹
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
東條 壮男
東工大応セラ研
-
川路 均
東京工業大学
-
川路 均
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
東條 壮男
東京工業大学
-
川路 均
東工大・応セラ研
-
江坂 享男
鳥取大学工学部
-
江坂 享男
Department Of Chemistry & Biotechnology Graduate School Of Engineering Tottori University
-
Esaka Takao
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Tottori University
-
東条 壮男
東京工大 応用セラミックス研
-
江坂 享男
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Tottori University
-
高井 茂臣
鳥取大学工学部
-
江坂 享男
Department of Chemistry & Biotechnology, Graduate School of Engineering, Tottori University
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