Alイオン注入4H-SiCプレーナ接合における最適ガードリング間隔に関する検討

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概要

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• 2011-03-01

著者

• 亀代 典史

  技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構

• 望月 和浩

  技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構

• 横山 夏樹

  技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構

• 沖野 泰之

  技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構

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