転流回路に用いる平型GTOのターンオン局部損失低減の一手法

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概要

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• In this paper, we present a design method for reducing local losses in a Gate Turn-Off Thyristor (GTO) at turn-on and protecting GTOs, particularly those of the flat-package type used in the high-frequency switching from overheating failure. This method utilizes the measurement of cathode-current spread obtained by infrared measurement. The performance of this was verified observing the gate-current at turn-on in a GTO used in the LC resonant commutation circuit for a power supply rated 10kHz, 1.0MW.

• 2009-05-01

著者

• 大沼 均

  三菱重工業 名古屋研

• 大沼 均

  三菱重工業(株)

• 川畑 理

  エンジニアリング開発(株)

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