The Potential of III-Nitrides for Use in High-Speed Field-Effect Transistors

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概要

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• 1999-09-20

著者

• Gobsch Gerhard

  Technische Universitat Ilmenau Institut Fur Physik

• SCHWIERZ Frank

  Technische Universitat Ilmenau, Institut Festkorperelektronik

• Schwierz Frank

  Technische Universitat Ilmenau Institut Festkorperelektronik

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