新ソース構造を用いた600V MCCTの電気的特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1999-10-21

著者

• 関 康和

  富士電機株式会社

• 岩穴 忠義

  富士電機株式会社

• 岩室 憲幸

  (株)富士電機総合研究所

• 原田 祐一

  (株)富士電機総合研究所

関連論文

• 微細低注入構造ダイオードの電気的特性
• IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)の開発経緯
• UシリーズIGBTモジュールの技術革新 (パワー半導体特集)
• 新ソース構造を用いた600V MCCTの電気的特性

スポンサーリンク